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統宇電研 - 專業生產貼片電感, 共模電感, 高頻變壓器

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4.7uH, 1.6A 低高度屏蔽功率電感 - 微型屏蔽貼片電感
4.7uH, 1.6A 低高度屏蔽功率電感
SDS4212E-4R7N-LF

4.7uH, 1.6A 低高度屏蔽功率電感,SMD微型功率電感器,利用具有高μ(ui)值的鐵氧體磁芯,可以更容易地獲得高電感。這意味著直流電阻較小且產生較少的熱量。線圈被環形磁芯覆蓋,作為磁屏蔽結構。該型號具有小尺寸、低高度(僅1.2mm)和低漏磁場的特點。儘管尺寸微小,但能承受高電流並具有低直流電阻,結構堅固,具有抗震功能,適用於節省空間的應用設計。

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5.6uH, 1.3A 低高度屏蔽功率電感 - 微型屏蔽貼片電感
5.6uH, 1.3A 低高度屏蔽功率電感
SDS4212E-5R6N-LF

5.6uH, 1.3A 低高度屏蔽功率電感,SMD微型功率電感器,利用具有高μ(ui)值的鐵氧體磁芯,可以更容易地獲得高電感。這意味著直流電阻較小且產生較少的熱量。線圈被環形磁芯覆蓋,作為磁屏蔽結構。該型號具有小尺寸、低高度(僅1.2mm)和低漏磁場的特點。儘管尺寸微小,但能承受高電流並具有低直流電阻,結構堅固,具有抗震功能,適用於節省空間的應用設計。

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6.8uH, 1.3A 低高度屏蔽功率電感 - 微型屏蔽貼片電感
6.8uH, 1.3A 低高度屏蔽功率電感
SDS4212E-6R8N-LF

6.8uH, 1.3A 低高度屏蔽功率電感,SMD微型功率電感器,利用具有高μ(ui)值的鐵氧體磁芯,可以更容易地獲得高電感。這意味著直流電阻較小且產生較少的熱量。線圈被環形磁芯覆蓋,作為磁屏蔽結構。該型號具有小尺寸、低高度(僅1.2mm)和低漏磁場的特點。儘管尺寸微小,但能承受高電流並具有低直流電阻,結構堅固,具有抗震功能,適用於節省空間的應用設計。

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8.2uH, 1.14A 低高度屏蔽功率電感 - 微型屏蔽貼片電感
8.2uH, 1.14A 低高度屏蔽功率電感
SDS4212E-8R2N-LF

8.2uH, 1.14A 低高度屏蔽功率電感,SMD微型功率電感器,利用具有高μ(ui)值的鐵氧體磁芯,可以更容易地獲得高電感。這意味著直流電阻較小且產生較少的熱量。線圈被環形磁芯覆蓋,作為磁屏蔽結構。該型號具有小尺寸、低高度(僅1.2mm)和低漏磁場的特點。儘管尺寸微小,但能承受高電流並具有低直流電阻,結構堅固,具有抗震功能,適用於節省空間的應用設計。

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10uH, 1.06A 低高度屏蔽功率電感 - 微型屏蔽貼片電感
10uH, 1.06A 低高度屏蔽功率電感
SDS4212E-100M-LF

10uH, 1.06A 低高度屏蔽功率電感,SMD微型功率電感器,利用具有高μ(ui)值的鐵氧體磁芯,可以更容易地獲得高電感。這意味著直流電阻較小且產生較少的熱量。線圈被環形磁芯覆蓋,作為磁屏蔽結構。該型號具有小尺寸、低高度(僅1.2mm)和低漏磁場的特點。儘管尺寸微小,但能承受高電流並具有低直流電阻,結構堅固,具有抗震功能,適用於節省空間的應用設計。

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12uH, 0.98A 低高度屏蔽功率電感 - 微型屏蔽貼片電感
12uH, 0.98A 低高度屏蔽功率電感
SDS4212E-120M-LF

12uH, 0.98A 低高度屏蔽功率電感,SMD微型功率電感器,利用具有高μ(ui)值的鐵氧體磁芯,可以更容易地獲得高電感。這意味著直流電阻較小且產生較少的熱量。線圈被環形磁芯覆蓋,作為磁屏蔽結構。該型號具有小尺寸、低高度(僅1.2mm)和低漏磁場的特點。儘管尺寸微小,但能承受高電流並具有低直流電阻,結構堅固,具有抗震功能,適用於節省空間的應用設計。

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15uH, 0.8A 低高度屏蔽功率電感 - 微型屏蔽貼片電感
15uH, 0.8A 低高度屏蔽功率電感
SDS4212E-150M-LF

15uH, 0.8A 低高度屏蔽功率電感,SMD微型功率電感器,利用具有高μ(ui)值的鐵氧體磁芯,可以更容易地獲得高電感。這意味著直流電阻較小且產生較少的熱量。線圈被環形磁芯覆蓋,作為磁屏蔽結構。該型號具有小尺寸、低高度(僅1.2mm)和低漏磁場的特點。儘管尺寸微小,但能承受高電流並具有低直流電阻,結構堅固,具有抗震功能,適用於節省空間的應用設計。

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15uH, 0.8A 低高度屏蔽功率電感 - 微型屏蔽貼片電感
15uH, 0.8A 低高度屏蔽功率電感
SDS4212E-180M-LF

15uH, 0.8A 低高度屏蔽功率電感,SMD微型功率電感器,利用具有高μ(ui)值的鐵氧體磁芯,可以更容易地獲得高電感。這意味著直流電阻較小且產生較少的熱量。線圈被環形磁芯覆蓋,作為磁屏蔽結構。該型號具有小尺寸、低高度(僅1.2mm)和低漏磁場的特點。儘管尺寸微小,但能承受高電流並具有低直流電阻,結構堅固,具有抗震功能,適用於節省空間的應用設計。

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22uH, 0.64A 低高度屏蔽功率電感 - 微型屏蔽貼片電感
22uH, 0.64A 低高度屏蔽功率電感
SDS4212E-220M-LF

22uH, 0.64A 低高度屏蔽功率電感,SMD微型功率電感器,利用具有高μ(ui)值的鐵氧體磁芯,可以更容易地獲得高電感。這意味著直流電阻較小且產生較少的熱量。線圈被環形磁芯覆蓋,作為磁屏蔽結構。該型號具有小尺寸、低高度(僅1.2mm)和低漏磁場的特點。儘管尺寸微小,但能承受高電流並具有低直流電阻,結構堅固,具有抗震功能,適用於節省空間的應用設計。

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33uH, 0.5A 低高度屏蔽功率電感 - 微型屏蔽貼片電感
33uH, 0.5A 低高度屏蔽功率電感
SDS4212E-330M-LF

33uH, 0.5A 低高度屏蔽功率電感,SMD微型功率電感器,利用具有高μ(ui)值的鐵氧體磁芯,可以更容易地獲得高電感。這意味著直流電阻較小且產生較少的熱量。線圈被環形磁芯覆蓋,作為磁屏蔽結構。該型號具有小尺寸、低高度(僅1.2mm)和低漏磁場的特點。儘管尺寸微小,但能承受高電流並具有低直流電阻,結構堅固,具有抗震功能,適用於節省空間的應用設計。

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低高度繞線式屏蔽功率電感  1uH and 3A 飽和電流 - 微型屏蔽貼片電感
低高度繞線式屏蔽功率電感 1uH and 3A 飽和電流
SDS4215E-1R0N-LF

低高度繞線式屏蔽功率電感 1uH and 3A 飽和電流,具有鐵氧體磁芯屏蔽的貼片功率電感器。該型號的尺寸僅為4.4x4.4x1.6mm,但可提供多種電感值,最高可達1000uH(1mH)。線圈被環形磁芯覆蓋,實現全屏蔽結構。相比其他半屏蔽電感器,此型號具有更低的漏磁場,結構更加堅固,具有抗震功能,適用於節省空間的應用。該型號SDS4215E系列可滿足各種消費者/工業應用需求,如便攜設備、噪聲濾波器、DC-DC轉換器,並符合REACH條例且無鹵素。

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低高度繞線式屏蔽功率電感  1.2uH and 2.8A 飽和電流 - 微型屏蔽貼片電感
低高度繞線式屏蔽功率電感 1.2uH and 2.8A 飽和電流
SDS4215E -1R2N-LF

低高度繞線式屏蔽功率電感 1.2uH and 2.8A 飽和電流,具有鐵氧體磁芯屏蔽的貼片功率電感器。該型號的尺寸僅為4.4x4.4x1.6mm,但可提供多種電感值,最高可達1000uH(1mH)。線圈被環形磁芯覆蓋,實現全屏蔽結構。相比其他半屏蔽電感器,此型號具有更低的漏磁場,結構更加堅固,具有抗震功能,適用於節省空間的應用。該型號SDS4215E系列可滿足各種消費者/工業應用需求,如便攜設備、噪聲濾波器、DC-DC轉換器,並符合REACH條例且無鹵素。

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