12Ω, 0.1A 積層式共模電感線圈
MM0806M-120-LF
12Ω，0.1A疊層式共模電感 ，尺寸為0.85x0.65x0.40mm和寬頻率範圍。節省空間，出色的EMI抑制性能和低高度的功能。為了適應用於高速數據傳輸的各種應用程序，將各個尺寸盤繞以實現這一目標。如今，傳輸速度的需求要快得多，統宇電研利用並整合了多層結構技術，鐵氧體材料背景和膜形成，以實現高性能薄膜SMD共模扼流圈。
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33Ω, 0.1A 薄膜共模濾波器
MM0806M-330-LF
33Ω，0.1a薄膜共模濾波器，尺寸為0.85x0.65x0.40mm和寬頻率範圍。節省空間，出色的EMI抑制性能和低高度的功能。為了適應用於高速數據傳輸的各種應用程序，將各個尺寸盤繞以實現這一目標。如今，傳輸速度的需求要快得多，統宇電研利用並整合了多層結構技術，鐵氧體材料背景和膜形成，以實現高性能薄膜SMD共模扼流圈。
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47Ω, 0.1A Ultra-小尺寸共模電感
MM0806M-470-LF
47Ω，0.1A超緊湊型共模扼流圈，尺寸為0.85x0.65x0.40mm和寬頻率範圍。節省空間，出色的EMI抑制性能和低高度的功能。為了適應用於高速數據傳輸的各種應用程序，將各個尺寸盤繞以實現這一目標。如今，傳輸速度的需求要快得多，統宇電研利用並整合了多層結構技術，鐵氧體材料背景和膜形成，以實現高性能薄膜SMD共模扼流圈。
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90Ω, 0.1A wide-band 共模電感
MM0806M-900-LF
90Ω，0.1A寬頻段共模扼流圈，尺寸為0.85x0.65x0.40mm和寬頻率範圍。節省空間，出色的EMI抑制性能和低高度的功能。為了適應用於高速數據傳輸的各種應用程序，將各個尺寸盤繞以實現這一目標。如今，傳輸速度的需求要快得多，統宇電研利用並整合了多層結構技術，鐵氧體材料背景和膜形成，以實現高性能薄膜SMD共模扼流圈。
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65Ω, 0.1A 薄膜共模電感(抑制EMI 雜訊干擾)
MM1006M-650-LF
65Ω，0.1a薄膜EMI扼流圈，用於尺寸為0.85x0.65x0.40mm和寬頻率範圍。節省空間，出色的EMI抑制性能和低高度的功能。為了適應用於高速數據傳輸的各種應用程序，將各個尺寸盤繞以實現這一目標。如今，傳輸速度的需求要快得多，統宇電研利用並整合了多層結構技術，鐵氧體材料背景和膜形成，以實現高性能薄膜SMD共模扼流圈。
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90Ω, 0.1A 積層式訊號用共模電感線圈
MM1006M-900-LF
90Ω，0.1A疊層式共模電感，尺寸為0.85x0.65x0.40mm和寬頻率範圍。節省空間，出色的EMI抑制性能和低高度的功能。為了適應用於高速數據傳輸的各種應用程序，將各個尺寸盤繞以實現這一目標。如今，傳輸速度的需求要快得多，統宇電研利用並整合了多層結構技術，鐵氧體材料背景和膜形成，以實現高性能薄膜SMD共模扼流圈。
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50Ω, 0.1A 小型化薄膜共模濾波器
MM1206M-500-LF
50Ω，0.1A微型薄膜共模濾波器，尺寸為0.85x0.65x0.40mm，頻率範圍為。節省空間，出色的EMI抑制性能和低高度的功能。為了適應用於高速數據傳輸的各種應用程序，將各個尺寸盤繞以實現這一目標。如今，傳輸速度的需求要快得多，統宇電研利用並整合了多層結構技術，鐵氧體材料背景和膜形成，以實現高性能薄膜SMD共模扼流圈。
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90Ω, 0.2A 小尺寸共模濾波器(高速訊號傳輸)
MM1206M-900-LF
90Ω，0.2A緊湊型共模過濾器，用於高速差分信號線，尺寸為0.85x0.65x0.40mm的高速差分信號線和寬頻率範圍。節省空間，出色的EMI抑制性能和低高度的功能。為了適應用於高速數據傳輸的各種應用程序，將各個尺寸盤繞以實現這一目標。如今，傳輸速度的需求要快得多，統宇電研利用並整合了多層結構技術，鐵氧體材料背景和膜形成，以實現高性能薄膜SMD共模扼流圈。
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120Ω, 0.3A 陣列磁珠
MA2010-121-LF
120Ω，0.3A陣列式鐵氧體濾波器, 利用鐵氧體粉末作為核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。此芯片陣列信號濾波的尺寸僅為2.0x1.0x0.55mm...
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240Ω, 0.3A 晶片陣列磁珠(訊號濾波)
MA2010-241-LF
240Ω，0.3A芯片陣列信號濾波利用鐵氧體粉作為核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。此芯片陣列信號濾波的尺寸僅為2.0x1.0x0.55mm...
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300Ω, 0.2A 低頻晶片磁珠
MA2010-301-LF
300Ω，0.2A低頻晶片磁珠將鐵氧體粉末用作核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。此芯片陣列信號濾波的尺寸僅為2.0x1.0x0.55mm...
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470Ω, 0.2A 陣列晶片磁珠 鐵氧體磁珠
MA2010-471-LF
470Ω，0.2A芯片陣列鐵氧體磁珠將鐵氧體粉末用作核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。此芯片陣列信號濾波的尺寸僅為2.0x1.0x0.55mm...
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