600Ω, 0.2A 鐵氧體晶片磁珠
MA2010-601-LF
600Ω，0.2a鐵氧體晶片磁珠將鐵氧體粉末用作核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。此芯片陣列信號濾波的尺寸僅為2.0x1.0x0.55mm...
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30Ω, 0.5A 鐵氧體晶片陣列磁珠
MA3216-300-LF
30Ω，0.5A鐵氧體晶片磁珠陣列利用鐵氧體粉作為核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。此芯片陣列信號過濾的尺寸僅為3.2x1.6x0.8mm...
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60Ω, 0.4A SMD 積層式晶片陣列磁珠
MA3216-600-LF
60Ω，0.4A SMD疊層式磁珠陣列利用鐵氧體粉作為核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。此芯片陣列信號過濾的尺寸僅為3.2x1.6x0.8mm...
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120Ω, 0.35A 積層式陣列晶片磁珠
MA3216-121-LF
120Ω，0.35A多層芯片陣列利用鐵氧體粉作為核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。此芯片陣列信號過濾的尺寸僅為3.2x1.6x0.8mm...
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300Ω, 0.25A 鐵氧體晶片磁珠4線陣列磁珠
MA3216-301-LF
300Ω，0.25a鐵氧體晶片磁珠4線陣列利用鐵氧體粉作為核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。此芯片陣列信號過濾的尺寸僅為3.2x1.6x0.8mm...
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600Ω, 0.2A Mulitilayer 鐵氧體陣列磁珠
MA3216-601-LF
600Ω，0.2a 疊層式鐵氧體磁珠陣列利用鐵氧體粉作為核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。此芯片陣列信號過濾的尺寸僅為3.2x1.6x0.8mm...
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1000Ω, 0.15A 1206 鐵氧體晶片磁珠
MA3216-102-LF
1000Ω，0.15A 1206鐵氧體晶片磁珠將鐵氧體粉末用作核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。此芯片陣列信號過濾的尺寸僅為3.2x1.6x0.8mm...
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60Ω, 0.3A微型繞線式共模電感
MM1209-600-LF
60Ω，0.3A微型繞線式共模扼流圈利用鐵氧體粉作為核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。由於特殊的核心和繞組技術，共模扼流圈在使用該信號來過濾噪聲並提供高差分模式截止頻率時不會降低信號。此芯片陣列信號過濾的尺寸僅為1.4x1.2x0.90mm...
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90Ω, 0.28A 微型貼片共模電感
MM1209-900-LF
90Ω，0.28A微型SMD共模扼流圈利用鐵氧體粉作為核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。由於特殊的核心和繞組技術，共模扼流圈在使用該信號來過濾噪聲並提供高差分模式截止頻率時不會降低信號。此芯片陣列信號過濾的尺寸僅為1.4x1.2x0.90mm...
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25Ω, 0.3A SMD 貼片共模訊號用濾波器
MM1210-250-LF
25Ω，0.3A SMD共模數據線扼流圈利用鐵氧體粉作為核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。由於特殊的核心和繞組技術，共模扼流圈在使用該信號來過濾噪聲並提供高差分模式截止頻率時不會降低信號。此芯片陣列信號濾波的尺寸僅為1.2x1.0x0.90mm...
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40Ω, 0.3A 貼片共模訊號用濾波器
MM1210-400-LF
40Ω，0.3A SMD共模數據電源濾波器利用鐵氧體粉作為核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。由於特殊的核心和繞組技術，共模扼流圈在使用該信號來過濾噪聲並提供高差分模式截止頻率時不會降低信號。此芯片陣列信號濾波的尺寸僅為1.2x1.0x0.90mm...
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60Ω, 0.3A 繞線式晶片共模電感
MM1210-600-LF
60Ω，0.3A 繞線式Chip共模扼流圈利用鐵氧體粉作為核心體。鐵氧體材料的磁導率高，因此通常用於消除高頻EMI。由於特殊的核心和繞組技術，共模扼流圈在使用該信號來過濾噪聲並提供高差分模式截止頻率時不會降低信號。此芯片陣列信號濾波的尺寸僅為1.2x1.0x0.90mm...
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